Nov tip pomnilnika obljublja revolucijo
Raziskovalci na univerzi North Carolina State University so razvili nov tip pomnilnika, ki združuje lastnosti današnjih pomnilnikov DRAM in Flash RAM. Zamisel nosi dolg naziv double floating-gate field effect transistor (FET), v bistvu pa gre za to, da imamo namesto enojne v tem primeru dvojno pomnilniško celico - prvo s trajnim (non-volatile) pomnjenjem podatkov, drugo pa z dinamičnim (volatile) pomnilnikom, podatke pa hranimo v obeh hkrati.
