Nov tip pomnilnika obljublja revolucijo
Raziskovalci na univerzi North Carolina State University so razvili nov tip pomnilnika, ki združuje lastnosti današnjih pomnilnikov DRAM in Flash RAM. Zamisel nosi dolg naziv double floating-gate field effect transistor (FET), v bistvu pa gre za to, da imamo namesto enojne v tem primeru dvojno pomnilniško celico - prvo s trajnim (non-volatile) pomnjenjem podatkov, drugo pa z dinamičnim (volatile) pomnilnikom, podatke pa hranimo v obeh hkrati.
Na ta način lahko podatke iz trajnega v dinamični pomnilnik prenesemo skoraj trenutno, kar bi lahko denimo omogočilo domala trenutni zagon računalnika iz popolnoma izklopljenega mirovanja. Danes podatki iz trajnih pomnilnikov ali diskov v pomnilnik potujejo prek različnih vmesnikov in s posredovanjem glavnega procesorja, kar seveda traja kar nekaj časa. V primeru novega pomnilnika pa bi se to zgodilo po najkrajši možni poti.
Znanstveniki menijo, da bi lahko nov tip pomnilnika lahko tudi močno zmanjšal porabo energije v velikih podatkovnih centrih, kot jih ima denimo Google, kjer računalniki porabijo zelo veliko energije tudi kadar niso obremenjeni, zgolj zato, ker morajo zadržati delovne podatke v pomnilniku, kjer morajo biti na zahtevo takoj na voljo. Nov tip pomnilnika naj bi bil tudi zelo vzdržljiv in primeren za dolgoročno hrambo podatkov.