IBM-ov tranzistor z dvojnimi vrati obeta
Nova IBM-ova tehnologija izdelave integriranih vezij s tranzistorji z dvojnimi vrati naj bi bila nekje med >>evolucijo<< in >>revolucijo<<, pravijo strokovnjaki. Pri podjetju IBM napovedujejo komercialna integrirana vezja v tej tehnologiji šele za leto 2006, omogočila pa naj bi v povprečju od 25 do 30 odstotno izboljšanje lastnosti današnjih vezij. IBM je že nekaj časa nameraval uporabiti tranzistorje z dvojnimi vrati, ki na papirju omogočajo dvakrat večji tok pri dvakrat višjih hitrostih in ob zmanjšani porabi električne energije. Vedno hitrejša integrirana vezja z milijoni tranzistorjev potrebujejo za svoje delovanje tudi vedno večji tok, pri tranzistorjih z dvojnimi vrati pa je stikalni tranzistor mogoče zapreti dvakrat. Napredek na tem področju je omogočila šele najnovejša tehnologija imenovana silicij na izolatorju (SOI).
