Najhitrejši SRAM
Samsung je uspel razviti trenutno najhitrejši statični pomnilnik - DDR3 SRAM. Statični pomnilnik se danes uporablja predvsem kot predpomnilnik, saj je zaradi zapletene proizvodnje zelo drag, hkrati pa tudi izredno hiter. Omogoča namreč dostopni čas pod 10 ns (>>navaden<< DRAM okoli 60 ns), ker pa ne potrebuje osveževanja med delovnimi cikli, pa je še dodatno hitrejši.
Krmilnik za 72 Mb pomnilnik DDR3 SRAM deluje s hitrostjo 1,5 GB/s, Samsung pa jih bo vgrajeval tudi v module DIMM velikosti 4 GB. Oboje bo na voljo
konec letošnjega leta.
Samsung pravi, da je 0,79 mikronsko osnovno celico razvil z običajno lasersko litografijo, ki temelji na kriptonovem fluoridu (KrF). Moduli za svoje delovanje potrebujejo le 1,2 V, zato so energijsko zelo varčni.
Samsung je eno redkih podjetij za proizvodnjo pomnilniških čipov, ki deluje z dobičkom. Glavna konkurenta, ameriški Micron in korejski Hynix že dve leti prijavljate velike četrtletne izgube.
