4-kanalni RDRAM
Predstavniki podjetja SIS (Silicon Integrated Systems) so potrdili, da razvijajo sistemski nabor, ki bo podpiral 4-kanalni pomnilnik RDRAM. Vezje R659 bo naslednik SISovega 2-kanalnega vezja R658.
4-kanalni RDRAM PC1066 bi teoretično zmogel hitrost prenosa podatkov do 8,4 GB/s, kar je precej več kot sedaj zmore 2-kanalni pomnilnik DDR-400. S prihodnjimi moduli hitrosti 1,3 GHz bi hitrost zrasla celo na spoštovanja vrednih 10,7 GB/s.
Težava je le v tem, da Samsung, kot poglavitni izdelovalec modulov RDRAM, še ni natančno napovedal, kdaj bo lahko začel izdelovati module, ki bodo zmogli 4-kanalni dostop. Tudi ko bodo dejansko v proizvodnji, bo njihovo preizkušanje in certificiranje verjetno moralo opraviti podjetje SIS, glede na to, da Intel RDRAMu v zadnjem času ni preveč naklonjen.
Nekateri opazovalci menijo, da je SIS sprožil govorice o R659 le zato, da bi si od Intela zagotovil licenco za 800 MHz zunanje vodilo.
