Naslednik pomnilnikov Flash RAM je nared
Intel in STMicroelectronics sta razvila in izbranim strankam že dobavila prve delujoče primerke pomnilnikov Phase Change Memeory (PCM), ki jo označujejo kot naslednika pomnilnikov Flash RAM. Pomnilniki PCM podobno kot Flash RAM hranijo podatke tudi kadar nimajo električnega napajanja, v primerjavi s sedanjimi izdelki pa nudijo hitrejše pisanje in branje podatkov, porabijo znatno manj električne energije za delovanje, obenem pa proizvajalca navajata, da z novo tehnologijo dosegajo dvojno gostoto pomnilniških celic glede na današnje najbolj napredne pomnilnike.
Pomnilniki PCM uporabljajo snov podobno steklu, kjer lahko podatke hranijo v celicah, ki zmorejo atome spremeniti iz amorfne v kristalno obliko. Stanje snovi predstavlja ničle in enice v binarnem zapisu. Stanja so pravzaprav štiri, od tod pa tudi večja gostota zapisa. Prvi prototipi lahko hranijo do 128 Mb, razvijalci pa napovedujejo hitro rast zmogljivosti. Gre sicer za eksperimentalne izdelke, vendar si pri Intelu od nove tehnologije obetajo precej, saj dosežek označujejo za najpomembnejši preboj na področju neizbrisljivih pomnilnikov v zadnjih 40 letih.