NEC razvil tehnologijo za nanocevaste tranzistorje
Raziskovalci pri družbi NEC so razvili način, kako stabilno izdelovati osnovne dele za ogljikove >>nanocevaste<< (nanotube) tranzistorje (CNT). Nanocevi so ogljikovi atomi oblikovani kot cevi, ki imajo premer le nekaj nanometrov. Ta tehnologija bi lahko v prihodnosti zamenjala silicijeve tehnologije, ko jih ne bo mogoče več zmanjševati. Ogljikove nanocevi precej bolje prevajajo električni tok, kot silicij, kar pomeni, da je transkonduntanca tranzistorja večja, hitrosti preklapljanja pa so zato tudi večje.
Novi proces izdelave družbe NEC naj bi omogočil več kot desetkrat boljše lastnosti od sedanjih tranzistorjev MOS. Ogljikove nanocevi so >>vzgojili<< na silicijevem substratu, tako da so na posamezna mesta dodali majhne količine katalizatorja. Elemente so povezali s pomočjo elektrod, ki imajo prav tako precej nižjo upornost, kot je bilo mogoče doslej. Delujoč nanocevni tranzistor pa naj bi zares izdelali šele leta 2010.
