Intel razvija tranzistor s troje vrati
Iz družbe Intel so sporočili, da se njihov futuristični trivratni tranzistor (>>Tri-Gate<<) približuje uresničenju. Trivratni tranzistor bo morda pomagal nadaljevati s sedanjo hitrostjo miniaturizacije vezij še naslednjih pet let. Z raziskavami so že zaključili, na vrsti pa je izdelava prototipov. Pri manjšanju dimenzij osnovnih stikal (tranzistorjev) elektrika začne >>curljati<<, kar se kaže v povečanju porabe električne energije in prevelikem segrevanju vezij. Pri trivratnih tranzistorjih so povečali površino vrat, ki nadzirajo pretok elektronov.
Običajna vrata tranzistorjev so ploska, trivratni tranzistorji pa imajo vrata oblikovana kot predor, tok elektronov pa teče tik pod polkrožnim lokom. Večja površina vrat omogoča stabilnejši pretok elektronov, kar ima za posledico boljše lastnosti in manj curljanja. V laboratorijih Intela želijo doseči produkcijsko dolžino 45 nm. Poleg tega pri družbi Intel izboljšujejo tudi klasični planarni tranzistor, oba tipa pa naj bi omogočala preklopne hitrosti reda 1 THz (1000 GHz).
