Hitrejši pomnilniki Rambus
Rambus se očitno ne da. Na konferenci na Japonskem so predstavili načrte za prihodnost, od katerih najbolj izstopa napovedano štirikratno povečanje zmogljivosti njihovega pomnilnika (RDRAM) do leta 2005. Vse to naj bi omogičili z zelo majhnimi spremembami trenutno uporabljanih matičnih plošč s podporo za RDRAM.
Za tak skok bodo zvišali delovno frekvenco z današnjih 800 na 1066 in kasneje na 1200 MHz in ob tem razširili pomnilniško vodilo s sedanjih 16 bitov na 32 oziroma 64 bitov. V končni fazi (leta 2005) bo torej njihov pomnilnik sposoben pretočiti kar 9,6 GB/s, to pa naj bi po Rambusovih (in Intelovih) besedah daleč presegalo pričakovane zahteve. Optimistični so tudi glavni izdelovalci - Samsung je izjavil, da bodo letos naredili preko 130 milijonov 128-megabitnih čipov, napovedali pa so tudi proizvodnjo zgoraj omenjenega izboljšanega pomnilnika. Medtem pa glavni tekmec, družba Infineon trdi, da bo konkurenčni standard DDR SDRAM leta 2003 zasedal že več kot 50% delež pri pomnilnikih...