Novi tip pomnilnikov NRAM na osnovi ogljika
V prihodnosti se lahko zgodi, da bodo današnje čipe s silicijem zamenjali taki, ki so zasnovani na ogljiku. Tehnologijo že preizkušajo pri podjetju Nantero, kjer so za osnovo vzeli mikroskopsko majhne ogljikove delce cilindrične oblike (velikosti le manj kot 1 nm), ki jih lahko usmerjajo in z njimi zgradijo osnovo za pomnilniške celice. Nantero je uspel razviti tehniko, s katero lahko delce >>zaklenejo<< v določenem položaju, kar je seveda predpogoj za trajno hranjenj podatkov (brez potrebe po osveževanju z elektriko. Slednjo pa uporabimo za spremembo usmerjenosti delcev.
Poleg tega, da so novi pomnilniki, ki jim za zdaj pravijo kar NRAM, energijsko precej manj potratni, omogočajo tudi hitrejši prenos podatkov (omenjajo dostopni čas le okoli polovice nanosekunde) in znatno večje gostote zapisa na enako površino, kot pri današnjih silicijev pomnilnikih. Nantero je pravkar patentiral postopek, s katerim lahko namestijo nekaj milijard ogljikovih delcev na eno samo rezino silicija, s čimer bi lahko naredili pomnilnike velikosti 10 Gb in več. Omejitev je le v napravah za litografijo, ki nanašajo delce na silicij. Nova tehnologija naj bi bila zanimiva zlasti za mobilne naprave, kjer sta poraba energije in velikost zelo omejena dejavnika. Za zdaj pa še ni jasno, kdaj bo nova tehnologija nared tudi za praktično uporabo.
