Najnaprednejša tehnologija izdelave vezij podjetja Intel
Družba Intel je predstavila nekaj novosti, ki jih bodo uporabili pri njihovem novem tehnološkem procesu izdelave integriranih vezij (arhitektura s povezavami 90-nm). Med temi so boljši in manjši tranzistorji CMOS z nižjo porabo električne energije, hitre bakrene notranje povezave in izboljšan dielektrični (izolatorski) material (CDO - z ogljikom dopirani oksid). Poleg tega bodo prešli na večje silicijeve rezine s premerom 300 mm (doslej 200 mm), kar pomeni, da bodo na eni rezini izdelali več enakih vezij. Pri podjetju še predvidevajo, da bodo lahko za novi proces uporabili okoli 75 odstotkov dosedanje opreme. Nekateri drugi proizvajalci šele uvajajo 0,13-mikronski proces, ki ga pri družbi Intel uporabljajo za izdelavo večine sedanjih vezij. Z redno proizvodnjo pomnilniških in drugih vezij s v 0,09-mikronski arhitekturi naj bi začeli prihodnje leto, med prvimi izdelki pa naj bi bil procesor Prescott.
Februarja letos je podjetje Intel z novo tehnologijo izdelalo pomnilnik SRAM s tedaj največjo gostoto kapacitete (52 MB) - posamezna pomnilniška celica pa je merila le 1 kvadratni mikron (mikrometer).
